Détail du produit
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Attribut | Valeur |
Fabricant: | SUR Semi-conducteur |
Catégorie de produit: | Transistors bipolaires - BJT |
RoHS : | Détails |
Style de montage : | CMS/CMS |
Paquet/Boîte : | SOT-23-3 |
Polarité des transistors : | PNP |
Configuration: | Seul |
Tension collecteur-émetteur VCEO Max : | - 60V |
Collecteur - Tension de base VCBO : | - 60V |
Emetteur - Tension de base VEBO : | 5V |
Tension de saturation collecteur-émetteur : | - 1,6V |
Courant de collecteur CC maximal : | 0,6 A |
Pd - Dissipation de puissance : | 225mW |
Produit de bande passante de gain fT : | 200 MHz |
Température de fonctionnement minimale : | - 55 C |
Température de fonctionnement maximale : | + 150 C |
Série: | MMBT2907AL |
Emballage: | Couper le ruban |
Emballage: | SourisReel |
Emballage: | Bobine |
Hauteur: | 0,94 millimètre |
Longueur: | 2,9 millimètres |
Technologie: | Si |
Largeur: | 1,3 mm |
Marque: | SUR Semi-conducteur |
Courant de collecteur continu : | - 0,6 A |
Collecteur DC/Base Gain hfe Min : | 75 |
Type de produit: | BJT - Transistors bipolaires |
Quantité de l'emballage d'usine : | 3000 |
Sous-catégorie : | Transistors |
Unité de poids: | 0,001058 oz |
Précédent: 2N7002LT1G Canal N 60V 115mA 2.5V 250uA 7.5Ω 500mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS Suivant: MMBT4401LT1G NPN 600mA 40V 300mW SOT-23(SOT-23-3) Transistors bipolaires - BJT RoHS