2N7002LT1G Canal N 60V 115mA 2.5V 250uA 7.5Ω 500mA,10V 225mW SOT-23(SOT-23-3) MOSFET RoHS

Brève description:

Référence fabricant : 2N7002LT1G
Fabricant : ON Semiconductor
Paquet : SOT-23 (SOT-23-3)
Description : MOSFET 60V 115mA canal N
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Détail du produit

Étiquettes de produit

Paramètre de produit

Attribut	Valeur
Fabricant:	SUR Semi-conducteur
Catégorie de produit:	MOSFET
RoHS :	Détails
Technologie:	Si
Style de montage :	CMS/CMS
Paquet/Boîte :	SOT-23-3
Polarité des transistors :	Canal N
Nombre de canaux:	1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source :	60V
Id - Courant de drain continu :	115mA
Rds activé - Résistance drain-source :	7,5 ohms
Vgs - Tension porte-source :	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1V
Température de fonctionnement minimale :	- 55 C
Température de fonctionnement maximale :	+ 150 C
Pd - Dissipation de puissance :	300mW
Mode Canal :	Renforcement
Emballage:	Couper le ruban
Emballage:	SourisReel
Emballage:	Bobine
Configuration:	Seul
Hauteur:	0,94 millimètre
Longueur:	2,9 millimètres
Produit:	Petit signal MOSFET
Série:	2N7002L
Type de transistor :	1 canal N
Taper:	MOSFET
Largeur:	1,3 mm
Marque:	SUR Semi-conducteur
Transconductance directe - Min :	80 millisecondes
Type de produit:	MOSFET
Quantité de l'emballage d'usine :	3000
Sous-catégorie :	MOSFET
Délai de désactivation typique :	40ns
Délai de mise en marche typique :	20ns
Unité de poids:	0,000282 oz